breakdown emitter-base voltage
- breakdown emitter-base voltage
- пробивное напряжение эмиттер-база
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ГОСТ 20003-74]
Тематики
- полупроводниковые приборы
EN
- breakdown emitter-base voltage
DE
- Emitter-Basis-Durchbruchspannung
FR
- tension de claquage émetteur-base
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии.
academic.ru.
2015.
Смотреть что такое "breakdown emitter-base voltage" в других словарях:
Voltage regulator — A popular three pin 12 V DC voltage regulator IC. A voltage regulator is an electrical regulator designed to automatically maintain a constant voltage level. A voltage regulator may be a simple feed forward design or may include negative feedback … Wikipedia
ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Пробивное напряжение эмиттер-база — 11. Пробивное напряжение эмиттер база D. Emitter Basis Durchbruchspannung E. Breakdown emitter base voltage F. Tension de claquage émetteur base UЭБОпроб Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение эмиттер-база — Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю. Обозначение UЭБОпроб U(BR)EBO [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN breakdown emitter base… … Справочник технического переводчика
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
Видлар, Роберт — Роберт Джон Видлар Robert John Widlar Видлар у фотошаблона LM10 В … Википедия
Avalanche transistor — An Avalanche Transistor is a bipolar junction transistor designed for operation in the region of its collector current/collector to emitter voltage characteristics beyond the collector to emitter breakdown voltage, called avalanche breakdown… … Wikipedia
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
semiconductor device — ▪ electronics Introduction electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… … Universalium
Differential amplifier — symbol The inverting and non inverting inputs are distinguished by − and + symbols (respectively) placed in the amplifier triangle. Vs+ and Vs− are the power supply voltages; they are often omitted from the diagram for simplicity, but of course… … Wikipedia
